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이석희 SK하이닉스 사장 “D램 10나노·낸드 600단 적층 가능”

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국제전기전자학회 기조연설서 밝혀

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이석희 SK하이닉스 사장이 22일 국제전기전자학회(IEEE) 국제신뢰성심포지엄(IRPS) 온라인 행사에서 기조연설을 하고 있다. 사진=SK하이닉스 홈페이지

이석희 SK하이닉스 사장은 22일 “D램과 낸드 각 분야에서 기술 진화를 위해 물질과 설계 구조를 개선하고 있다”며 “성공적인 플랫폼 혁신이 이뤄진다면 향후 D램 10나노미터(nm) 이하 공정 진입, 낸드 600단 이상 적층도 가능하다”고 말했다.

이석희 사장은 이날 국제전기전자학회(IEEE) 국제신뢰성심포지엄(IRPS) 온라인 기조연설에 나서 SK하이닉스가 추구하는 파이낸셜 스토리를 업계 전문가들과 공유하며 이같이 밝혔다.

이 사장은 코로나19로 인해 4차 산업혁명의 디지털 대전환이 가속되고 있고 5세대 통신(5G), 자율주행 자동차, 인공지능(AI) 등이 데이터 증가를 촉발하고 있는 만큼 D램과 낸드 수요가 대폭 증가할 것으로 예상했다. 그러면서 메모리반도체가 미래 정보통신기술(ICT) 세상에서 중심적인 역할을 하게 될 것이라고 내다봤다.

이 사장은 “서버, PC, 모바일 기기에 단순하게 사용되던 메모리반도체는 다양한 기술 혁신 속에서 기능이 다변화되고 확대되는 추세”라며 “메모리반도체는 정보를 저장하고 처리하는 것 이상의 역할을 수행할 것”이라고 강조했다.

이 사장은 “기술·사회·시대적 가치가 반도체 기술 발전을 견인하게 될 것”이라고 강조하며 SK하이닉스의 다양한 경영 전략도 공유했다.

김정훈 기자 lennon@

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