삼성전자, 3차원 메모리 시대 열었다
삼성전자가 세계 최초로 3차원 메모리 반도체 시대를 열었다. 삼성전자는 6일 반도체 미세화 기술의 한계를 극복한 신개념 3차원 수직구조 낸드(3D Vertical NAND) 플래시 메모리의 양산을 시작했다고 밝혔다.이번 3차원 수직구조 낸드플래시 메모리는 업계 최대 용량인 128기가비트(Gigabit) 제품이다. 또한 향후 5년 안에 1테라(Tera) 비트 이상 낸드플래시를 출시할 수 있는 원천 기술을 확보했다. 삼성전자의 독자 기술 ‘3차원 원통형 CTF(3D Charge Trap Flash) 셀구조’